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日本Dowa开发出1300 nm波段近红外LED芯片

http://www.ledp.hc360.com2018年09月12日08:28 来源:高工LED T|T

    慧聪LED屏网报道

   据外媒报道,日本Dowa Electronics Corporation日前表示,已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。Dowa表示,该新型芯片尺寸是之前型号的3.5倍,其输出功率为6.8 mW。据称,Dowa已经开始为该新型芯片提供样品。

  值得注意的是,使用LED的各种光学传感器具有尺寸小、省电以及使用长寿命等优点。此外,波长范围为800nm至2000nm的近红外光可以高度渗透用于光学传感器应用的生物体,包括农作物和食品的分析、以及健康和医学应用等。Dowa预计,在医疗领域,这种近红外LED的市场将会继续扩大。例如,近红外LED可用于测量血糖而无需采血样的传感器。

  Dowa声称,其新开发的中心波长为1300 nm波段的近红外LED芯片极大地增加了向顶部表面的光输出,而这则是传感器应用所必需的;与此同时,近红外LED还实现了高功率输出。

  Dowa计划进一步扩展这些技术,在未来生产中心波长分别为1450 nm和1650 nm的近红外LED,从而进一步完善其近红外发射器产品阵容。

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责任编辑:李莉梅

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